泄密了的闪存技术走势

　　东芝电子(中国)有限公司董事长兼总经理田中基仁在日前的2014年高交会电子展上也透露，2014年东芝在中国的闪存生意非常好。东芝在高交会电子展上展示的存储技术和产品也是很有分量的，从MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的产品，并且东芝的技术动向，也在引领未来闪存的发展趋势。
NAND集成趋势不可挡

　　除了MLC和MMC产品，东芝还率先提供24nm工艺的SLC NAND和BENAND产品，在该工艺下，可靠性和成本优势提升，用户可以降低BOM成本并获得可持续的长期支持。

    全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange的数据表明，东芝2014年会计年度第二季(7月~9月)的NAND Flash营运表现最亮眼，位出货量季成长25%以上，营收较上季度成长23.7%。

　　移动设备用存储产品引导着NAND的发展趋势，而更高程度的集成势不可挡。东芝上半年已经发布了15nm 128Gb的MLC产品，集成度进一步提升。该产品可以向客户级SSD、企业级SSD以及消费类产品等广泛的应用提供支持。东芝的超高性能UFS v2.0的存储器样品也已推出，继续引领存储技术潮流。

　　l 2014年将产品工艺推进到15nm，兼容e·MMCTM v5.x标准。在此工艺下，产品尺寸可以比19nm工艺下的封装缩小26%，而读写速度分别提高8%和20%。

　　l 超高性能UFS v2.0的存储器样品领先市场。

　　对移动设备中使用的标准存储器产品MMC(多媒体卡)，东芝的e·MMCTM具有以下特点：

　　l 制程工艺已经推进至19nm的第二代制程A19nm，符合e·MMCTM v5.0标准，实现高性能小型化。
　　l e·MMCTM Supreme和Premium两种产品线满足多种多样的市场需求。

　　除了在移动设备、数字电视、数字摄像、工业中的广泛应用，东芝还把e·MMCTM产品扩展到了汽车中。在车载信息娱乐系统中，东芝导航卡完全具有与标准SD存储卡相同的功能特性，如“块管理”、ECC纠错以及损耗均衡等。

借技术实力，东芝走在下一代UFS市场的前沿。

　　田中基仁表示，2014年东芝已经开始量产15nm工艺NAND闪存。但在提升闪存的性能和降低成本上，15nm已经是极限。下一代存储技术将会向3D架构发展。在3D时代，闪存的架构就显得格外重要。目前，东芝除了正在继续开发基于浮动栅架构的先进制程工艺外，同时也在通过研发3D结构的存储单元(BiCS)，进一步加速芯片的大容量化。

　　东芝展示了超高性能UFS v2.0的存储器样品，新的产品可以实现读写速度上的大幅提升，连续读取速度可以达到650MB/s，连续写入速度可以达到180MB/s。看来东芝已经为未来发力准备好了。

　　闪存的速度非常快，台式电脑和笔记本电脑上最新的闪存存储装置使用适当的接口后读写速度可以达到每秒约500MB。为了提升智能手机、平板电脑、电子书阅读器等移动设备的读取和写入速度，2013年电子设备工程联合委员会(Joint Electron Device Engineering Council，简称JEDEC)发布了第二代通用闪存存储标准UFS 2.0，该标准下的闪存读写速度可以高达每秒1400MB，这相当于在两秒钟内读写两个CD光盘的数据，不仅相比e·MMCTM有巨大的优势，它甚至能够让电脑上使用的闪存存储介质固态硬盘也相形见绌，因而，业界认为该标准会在2015年成为移动设备的主流标准。

　近些年，闪存速度/容量的提升及成本的降低主要依靠制造工艺的进步。但麻烦的是，随着工艺的进步，对于存储芯片来说，发生了更为要命的问题：工艺越先进闪存芯片性能反而越差。因为在相同的空间内要针对更多单元做充放电的动作，电荷干扰很严重，完成数据读写的延时就变大，数据处理时的错误率也在上升。