紧抓可穿戴机遇 罗姆诠释如何从“小”做起

　  在工作人员的介绍下，记者了解到罗姆本次展出的SiC器件主要包含SiC肖特基势垒二极管、SiC-MOSFETs以及全SiC功率模块等产品。目前，SiC肖特基势垒二极管已更新至第2代，分别拥有650V和1200V两大系列，具有低至1.35V的业界最小正向电压；最新的第三代SiC沟槽型MOSFET产品目前仍在开发中，此产品可实现更低的导通电阻、更高的逆变器功率密度，以及更佳的寄生二极管反向恢复特性；全SiC功率模块则是罗姆采用独创的缺陷控制技术和筛选法，确保了其可靠性，并于全球首家确立它的量产体制。

 

　  事实上，罗姆的SiC功率器件推出也有很长一段时间了，但在中国市场一直达不到理想的业绩。其实就单个器件而言，SiC产品在成本上确实要比Si器件高出不少，但由于性能得到了不少提升，在整机设计上可以为我们省去其它一些辅助类的器件，因此从整体上看，价格与采用Si器件的方案相比基本相差无几。

 

　　随着性能的节节攀升，智能手机等便携设备内置的元器件数量也在不停地增长，这促使元件商在努力提高自家产品性能的同时，也不得不往“小型化、薄型化”的精品路线发展。

 

　　元件尺寸方面，为了迎合近年来高速增长的可穿戴市场，罗姆也是下了不少功夫。本次慕尼黑电子展上，罗姆展示了世界最小元器件RASMID系列的最新产品——03015尺寸贴片电阻器SMR003。据悉，SMR003通过独家工艺技术开发，采用具有卓越腐蚀性的金电极实现了焊锡性以及高可靠性，实现了0.3×0.15（mm）的业界最小尺寸，适用于智能手机、平板电脑、DSC和超极本等设备。

 

世界最小元器件RASMID系列的最新产品——03015尺寸贴片电阻器SMR003

 

　　在精细至毫米级的元器件市场，想要体现出自身的差异化优势，不仅要从工艺端着手，材料上的选择同样十分关键。在功率元器件领域，SiC相比传统的Si材料可进一步实现低功耗及高效化的要求，在高温环境下仍具备优良的工作特性，且开关损耗更低，备受业界期待。作为较早进入SiC研发领域的元件商，罗姆是唯一一家从材料，到器件，到模组均具备量产能力的厂商，在本次上海慕尼黑电子展的展台上，记者便见识到了罗姆展出的一系列新品。